ASML 首席技术官：明年将向客户交付首台 High-NA EUV 光刻机，光刻技术或走到尽头

　　9 月 28 日消息，ASML 首席技术官 Martin van den Brink 日前接受 Bits & Chips 的采访时表示，目前公司正有序推行其路线图，在 EUV 之后是 High-NA EUV 技术。ASML 正在准备向客户交付首台 High-NA EUV 光刻机，大概会在明年某个时间点完成，Martin 相信这个目标会实现，尽管供应链问题仍然可能会扰乱这一计划。

　　IT之家了解到，NA (NumericalAperture) 被称作数值孔径，是光学镜头的一个重要指标，一般光刻机设备都会明确标注该指标的数值。在光源波长不变的情况下，NA 的大小直接决定和光刻机的实际分辨率，也等于决定了光刻机能够达到的最高的工艺节点。High-NA EUV 是下一代光刻设备，与现有的 EUV 光刻设备相比，可以雕刻出更精细的电路，其被认为是一个改变游戏规则的设备，将决定 3 纳米以下代工市场技术竞赛的赢家。

　　Van den Brink 说，到目前为止，开发高 High-NA 技术的最大挑战是为 EUV 光学器件构建计量工具。High-NA 镜的尺寸是其前身的两倍，需要在 20 皮米范围内保持平整。这需要在一个大到“可以容纳半个公司”的真空容器中进行验证，该容器位于蔡司公司。

　　High-NA EUV 光刻机会比现有的 EUV 光刻机更为耗电，从 1.5 兆瓦增加到 2 兆瓦。主要原因是因为光源，High-NA 使用了相同的光源需要额外 0.5 兆瓦，ASML 还使用水冷铜线为其供电。

　　至于 High-NA EUV 技术之后的技术方案，Martin 表示，ASML 正在研究降低波长，但他个人不认为 Hyper-NA 是可行的，他们正在对其进行研究，但这并不意味着它将投入生产。Martin 怀疑 High-NA 将是最后一个 NA，当前半导体光刻技术之路或已走到尽头。

　　High-NA EUV 系统将提供 0.55 数值孔径，与此前配备 0.33 数值孔径透镜的 EUV 系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。到了 Hyper-NA 系统，会高于 0.7，甚至达到 0.75，理论上是可以做到的。从技术方面来讲，也可以做到。但如果 hyper-NA 的成本像 High-NA 那样快速增长，那么它在经济上将几乎是不可行的。因此，Hyper-NA 研究项目的主要目标是提出聪明的解决方案，使该技术在成本和可制造性方面保持可控。